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  • 上海光机所无锥柱交界面KDP类晶体长籽晶快速生长技术研究获进展

    作者:佚名 来源:上海光学精密机械研究所 时间:2019-09-23 16:00 阅读:143 [投稿]
    中国科学院上海光学精密机械研究所应用于Ⅱ类切割的430mm口径KDP类晶体的长籽晶快速生长技术取得新进展。

    近期,中国科学院上海光学精密机械研究所应用于Ⅱ类切割的430mm口径KDP类晶体的长籽晶快速生长技术取得新进展。利用自主研发的KDP类晶体连续过滤快速生长系统,在国际上首次结合长籽晶点晶技术(籽晶长度260mm),获得长籽晶KDP晶体(图1),晶体尺寸为471mm×480mm×400mm(长×宽×柱面高)。

    初步测试结果表明,晶体透明度好,可以满足无锥柱交界面的430mm口径二类混频元件切割要求。该晶体的成功生长,验证了长籽晶快速生长技术制备大口径无锥柱交界面DKDP晶体的可能性,为后续430mm口径DKDP晶体元件制备奠定基础。

    长籽晶生长技术存在一系列优点:(1)充分利用Ⅱ类晶体切割方向特点,提高晶体坯片的切片效率;(2)可以利用长籽晶对应的柱面区域进行元件切割,彻底消除了点籽晶单锥及双锥头快速生长固有的锥柱交界面,解决晶体内部锥柱交界面诱导的局域位相畸变及电场增强效应;(3)进一步改善了晶体生长过程中流场环境,有利于获得高质量晶体;(4)充分利用了快速生长技术特点,430mm口径晶体的制备周期为3-4个月,显著优于慢速生长2-3年的制备周期。


     

    连续过滤长籽晶快速生长技术制备的KDP晶体(晶体尺寸471mm×480mm×400mm,籽晶长度260mm)

    相关晶体制备技术已经申请了专利(公开号:CN 109943881A,CN110055579A)。目前利用该技术正在进行大口径DKDP晶体研制的攻关工作,有望获得突破性进展。

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